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| ブランド名: | UW |
| MOQ: | 1セット |
| 価格: | 交渉可能 |
| 支払条件: | T/T |
装置紹介
このペロブスカイトP1/P4レーザーソーイング・エッジクリーニング装置は、P1レーザーソーイング（TCO層の除去）を実行でき、P1ソーイングラインの両側の抵抗は20MΩを超え、ソーイングチャネル内にTCO残留物がなく、ガラス基板に損傷を与えません。同時に、P4レーザーエッジクリーニング（レーザー技術を使用してセルエッジの成膜を除去し、後続のパッケージング用の領域を確保し、基板を損傷せずに基板上のすべての成膜層を除去する）も実行できます。
ハイライト
・自社開発のレーザーおよび光学設計を採用し、ビーム成形をサポートします。スポットサイズは20〜100μmで調整可能で、500μmまたは1000μmのスポットはカスタマイズ可能です。
・フォーカシングレンズによる高速ソーイングまたはガルバノメーターによるエッチングとの組み合わせをサポートします。
・装置全体がモジュール式で柔軟な設計を採用しています。P1/P4機能は、簡単な操作で1台の装置に統合できます。
・高精度ビジョン位置決めシステムを搭載し、スティッチング精度は3μm未満です。・自社開発の集塵システム、エアブローシステム、フォーカストラッキングシステム。
技術パラメータ
装置性能
| 仕様 | レーザー |
| IR/グリーン/UVナノ秒およびピコ秒レーザー | パワー |
| 20〜1000W（オプション） | 集光スポットサイズ |
| 20〜100μm（500μmまたは1000μmはカスタマイズ可能） | 適用セルサイズ |
| 600mm×600mm（カスタマイズ可能） | 直線度 |
| 5μm/m未満 | 位置決め精度 |
| ±5μm | 繰り返し位置決め精度 |
| ±2μm | スポットプロファイル |
| 正方形または円形スポット | 線幅 |
| 20〜100μm（調整可能） | 装置寸法（長さ×幅×高さ） |
| 1900*1500*2500mm |
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